目前，主流的圖像傳感器（CIS：CMOSImageSensor）的封裝方法包括：芯片級封裝（ChipScalePackage，CSP）、板上集成封裝（ChipOnBoard，COB）及倒裝芯片封裝（FlipChip，F(xiàn)C）。

CISCSP是一種目前普遍應(yīng)用在中低端、低像素（2M像素或以下）圖像傳感器的封裝技術(shù)，可采用Dielevel（芯片級）或Waferlevel（晶圓級）封裝技術(shù)。該封裝技術(shù)通常使用晶圓級玻璃與晶圓bonding并在晶圓的圖像傳感器芯片之間使用圍堰隔開，然后在研磨后的晶圓的焊盤區(qū)域通過制作焊盤表面或焊盤面內(nèi)孔側(cè)面環(huán)金屬連接的硅穿孔技術(shù)（TSV：ThroughSiliconVia）或切割后焊盤側(cè)面的T型金屬接觸芯片尺寸封裝技術(shù)，并在晶圓背面延伸線路后制作焊球柵陣列（BGA：BallGridArray），然后切割后形成單個密封空腔的圖像傳感器單元。后端通過SMT的方法形成模塊組裝結(jié)構(gòu)。但是，CSP封裝具有如下明顯的問題：1影響產(chǎn)品性能：厚的支撐玻璃對光的吸收、折射、反射及散射對圖像傳感器尤其是小像素尺寸產(chǎn)品的性能具有很大的影響；2可靠性問題：封裝結(jié)構(gòu)中的構(gòu)件之間的熱膨脹系數(shù)差異及空腔內(nèi)密封氣體在后面的SMT工藝或產(chǎn)品使用環(huán)境的變化中出現(xiàn)可靠性問題；3投資規(guī)模大、環(huán)境污染控制要求大，生產(chǎn)周期較長，單位芯片成本較高尤其對于高像素大尺寸圖像傳感器產(chǎn)品。

CISCOB封裝是一種目前普遍應(yīng)用在高端、高像素產(chǎn)品（5M像素或以上）圖像傳感器的DieLevel（芯片級）封裝技術(shù)。該封裝技術(shù)把經(jīng)研磨切割后的芯片背面bonding在PCB板的焊盤上使用鍵合金屬導(dǎo)線，裝上具有IR玻璃片的支架和鏡頭，形成組裝模塊結(jié)構(gòu)。但是，COB封裝如下明顯的問題：1、微塵控制非常困難，需要超高的潔凈室等級，制造維持成本高；2、產(chǎn)品設(shè)計定制化、周期長、靈活度不夠；3不容易規(guī)?；a(chǎn)；

CISFC封裝最近興起的高端、高像素（5M像素或以上）圖像傳感器的DieLevel（芯片級）封裝技術(shù)。該封裝技術(shù)把在焊盤做好金素凸塊經(jīng)研磨切割的芯片焊盤直接與PCB的焊盤通過熱超聲的作用一次性所有接觸凸塊與焊盤進(jìn)行連接，形成封裝結(jié)構(gòu)。后端通過PCB外側(cè)的焊盤或錫球采用SMT的方法形成模塊組裝結(jié)構(gòu)。但是，F(xiàn)C封裝如下明顯的問題：1該封裝對PCB基板要求很高，與Si具有相近的熱膨脹系數(shù)，成本很高；2制造可靠性難度很大，熱超聲所有凸塊與焊盤連接的一致性要求非常高，凸塊與焊盤硬連接，延展性不好；3微塵控制難度大、工藝環(huán)境要求高，成本很高；