TFT液晶屏的技術(shù)特點

TFT技術(shù)是二十世紀(jì)九十年代發(fā)展起來的，采用新材料和新工藝的大規(guī)模半導(dǎo)體全集成電路制造技術(shù)，是液晶(LC)、無機(jī)和有機(jī)薄膜電致發(fā)光(EL和OEL)平板顯示屏的基礎(chǔ)。其主要特點有：

1.大面積：九十年代初第一代大面積玻璃基板(300mm×400mm)TFT-LCD生產(chǎn)線投產(chǎn)，到2000年上半年玻璃基板的面積已經(jīng)擴(kuò)大到了680mm×880mm)，最近950mm×1200mm的玻璃基板也將投入運(yùn)行。

2.高集成度：用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率為XGA含有百萬個像素。分辨率為SXGA(1280×1024)的16.1英寸的TFT陣列非晶體硅的膜厚只有50nm，以及TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技術(shù)，其IC的集成度，對設(shè)備和供應(yīng)技術(shù)的要求，技術(shù)難度都超過傳統(tǒng)的LSI。

3.功能強(qiáng)大：TFT最早作為矩陣選址電路改善了液晶的光閥特性。對于高分辨率顯示屏，通過0-6V范圍的電壓調(diào)節(jié)(其典型值0.2到4V)，實現(xiàn)了對象元的精確控制，從而使LCD實現(xiàn)高質(zhì)量的高分辨率顯示成為可能。

4.低成本：玻璃基板和塑料基板從根本上解決了大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路的成本問題，為大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路的應(yīng)用開拓了廣闊的應(yīng)用空間。

5.工藝靈活：除了采用濺射、CVD(化學(xué)氣相沉積)MCVD(分子化學(xué)氣相沉積)等傳統(tǒng)工藝成膜以外，激光退火技術(shù)也開始應(yīng)用，既可以制作非晶膜、多晶膜，也可以制造單晶膜。不僅可以制作硅膜，也可以制作其他的Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體薄膜。

6.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，以TFT技術(shù)為基礎(chǔ)的液晶平板顯示屏是信息社會的支柱產(chǎn)業(yè)，也技術(shù)可應(yīng)用到正在迅速成長中的薄膜晶體管有機(jī)電致發(fā)光(TFT-OLED)平板顯示屏也在迅速的成長中。